TPS1100DR
MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC
Blyfri / Överensstämmer med RoHS
Begär pris och ledtid
TPS1100DR finns tillgängliga, vi kan leverera TPS1100DR, använd offertförfrågan för att begära TPS1100DR pirce och ledtid.Atosn.com en professionell distributör av elektroniska komponenter. Vi har stort lager och kan snabbt leverera, kontakta oss idag och vår säljrepresentant kommer att ge dig pris och leveransinformation på del # TPS1100DR. Inkludera tullklareringsfrågor för att matcha ditt land. Vi har ett professionellt säljteamoch tekniskt team, vi ser fram emot att samarbeta med dig.
Begär offert
produkt~~POS=TRUNC paramters
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 1.5V @ 250µA
- Vgs (Max)
- +2V, -15V
- Teknologi
- MOSFET (Metal Oxide)
- Leverantörs Device Package
- 8-SOIC
- Serier
- -
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 180 mOhm @ 1.5A, 10V
- Effektdissipation (Max)
- 791mW (Ta)
- Förpackning
- Tape & Reel (TR)
- Förpackning / Fodral
- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Andra namn
- TPS1100DRG4
TPS1100DRG4-ND
- Driftstemperatur
- -40°C ~ 150°C (TJ)
- Monteringstyp
- Surface Mount
- Fuktkänslighetsnivå (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Tillverkarens normala ledtid
- 22 Weeks
- Ledningsfri status / RoHS-status
- Lead free / RoHS Compliant
- Gate Laddning (Qg) (Max) @ Vgs
- 5.45nC @ 10V
- FET-typ
- P-Channel
- FET-funktionen
- -
- Drivspänning (Max Rds På, Min Rds På)
- 2.7V, 10V
- Avlopp till källspänning (Vdss)
- 15V
- detaljerad beskrivning
- P-Channel 15V 1.6A (Ta) 791mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
- Ström - Kontinuerlig avlopp (Id) @ 25 ° C
- 1.6A (Ta)
Liknande produkter
- TPS1100DR
- TPS1100DR datablad
- TPS1100DR datablad
- TPS1100DR pdf-datablad
- Ladda ner TPS1100DR datablad
- TPS1100DR-bild
- TPS1100DR del