STB120N4F6
Begär pris och ledtid
STB120N4F6 finns tillgängliga, vi kan leverera STB120N4F6, använd offertförfrågan för att begära STB120N4F6 pirce och ledtid.Atosn.com en professionell distributör av elektroniska komponenter. Vi har stort lager och kan snabbt leverera, kontakta oss idag och vår säljrepresentant kommer att ge dig pris och leveransinformation på del # STB120N4F6. Inkludera tullklareringsfrågor för att matcha ditt land. Vi har ett professionellt säljteamoch tekniskt team, vi ser fram emot att samarbeta med dig.
Begär offert
produkt~~POS=TRUNC paramters
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 4V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±20V
- Teknologi
- MOSFET (Metal Oxide)
- Leverantörs Device Package
- D2PAK
- Serier
- DeepGATE™, STripFET™ VI
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 4 mOhm @ 40A, 10V
- Effektdissipation (Max)
- 110W (Tc)
- Förpackning
- Cut Tape (CT)
- Förpackning / Fodral
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Andra namn
- 497-10768-1
497-10768-5
497-10768-5-ND
- Driftstemperatur
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Monteringstyp
- Surface Mount
- Fuktkänslighetsnivå (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Ledningsfri status / RoHS-status
- Lead free / RoHS Compliant
- Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
- 3850pF @ 25V
- Gate Laddning (Qg) (Max) @ Vgs
- 65nC @ 10V
- FET-typ
- N-Channel
- FET-funktionen
- -
- Drivspänning (Max Rds På, Min Rds På)
- 10V
- Avlopp till källspänning (Vdss)
- 40V
- detaljerad beskrivning
- N-Channel 40V 80A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D2PAK
- Ström - Kontinuerlig avlopp (Id) @ 25 ° C
- 80A (Tc)
Liknande produkter
- STMicroelectronics STB120N4F6
- STB120N4F6 datablad
- STB120N4F6 datablad
- STB120N4F6 pdf-datablad
- Ladda ner STB120N4F6 datablad
- STB120N4F6-bild
- STB120N4F6 del
- ST STB120N4F6
- STMicroelectronics STB120N4F6